高温・高耐圧環境での測定を実現
参考写真３インチ全面対応品
概要
従来の極低温・高真空での測定条件での業界最高レベルの測定ノイズを維持しながら、次世代パワー半導体用材料として期待されるＳｉＣ・ＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体材料の測定評価に必要な、高温・高耐圧環境での測定を可能にしました。
主な用途
・SiC、ダイヤモンドデバイス測定
仕様
| 項目 | GRAIL 10-HVT-X |
| 機器構成 | パワーデバイスプローバー本体×１式 |
| プローバー本体概略寸法 | 960(W)×720(D)×600(H) |
| 重量 | プローバー本体：150kg程度 |
| 冷却方法 | N2ガス循環（室温復帰用） |
| 測定温度範囲 | RT～573K |
| 測定耐電圧、電流 | 3kV 、Pls20A |
| 測定可能エリア | 25ｍｍ×25ｍｍ以下 |
| プローブ移動量 | X軸：±25.0mm Y、Z軸：±12.5mm |
| 温度安定性 | RT～573K：±1.0K以下 |
| 測定ノイズ | ±1pＡ以下（室温時40V） |
| プローブ数 | 0～6本 *1 |
| 試料ステージ移動量 | 移動機構なし |
| 信号コネクター | MHV(SHV)コネクターＸ（プローブ数+2） *2 |
| 取り付け可能オプション類 *3 | 高周波キット *4 |
*1)：形式の"X"の部分が本数を表します。
*2)：+2はバックゲート用
*3)：オプション取り付けにより基本仕様は変化します。
*4)：その他特別仕様への対応も可能です。
