GRAIL 10-HVT-X

高温・高耐圧環境での測定を実現

GRAIL 10-HVT-X GRAIL 10-HVT-X

参考写真3インチ全面対応品

概要

従来の極低温・高真空での測定条件での業界最高レベルの測定ノイズを維持しながら、次世代パワー半導体用材料として期待されるSiC・GaN等のワイドバンドギャップ半導体材料の測定評価に必要な、高温・高耐圧環境での測定を可能にしました。

主な用途

・SiC、ダイヤモンドデバイス測定

仕様

項目 GRAIL 10-HVT-X
機器構成 パワーデバイスプローバー本体×1式
プローバー本体概略寸法 960(W)×720(D)×600(H)
重量 プローバー本体:150kg程度
冷却方法 N2ガス循環(室温復帰用)
測定温度範囲 RT~573K
測定耐電圧、電流 3kV 、Pls20A
測定可能エリア 25mm×25mm以下
プローブ移動量 X軸:±25.0mm Y、Z軸:±12.5mm
温度安定性 RT~573K:±1.0K以下
測定ノイズ ±1pA以下(室温時40V)
プローブ数 0~6本 *1
試料ステージ移動量 移動機構なし
信号コネクター MHV(SHV)コネクターX(プローブ数+2) *2
取り付け可能オプション類 *3 高周波キット *4

*1):形式の"X"の部分が本数を表します。
*2):+2はバックゲート用
*3):オプション取り付けにより基本仕様は変化します。
*4):その他特別仕様への対応も可能です。